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评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法、形成绝缘膜的涂布液及其制备方法、半导体器件用绝缘膜成型方法以及采用绝缘膜成膜法制备半导体器件的方法

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摘要

本发明根据在有机SOG中键合在硅原子上的有机取代基的含量和/或各个键合不同数量有机基团的硅原子的比率来评价用于形成绝缘膜的硅氧烷。本发明形成的绝缘膜具有优良的膜性能(如具有填满细小沟槽的能力、能使整个基体图案平整、能形成足够厚的膜以填充台阶)以及电性能(如形成的绝缘膜的介电常数)，具体地说，绝缘膜是一种利用涂布液形成的半导体器件用多层绝缘膜。该涂布液是根据上述评价结果由含一定比率的有一个Si-C键的硅原子的硅氧烷所组成或由以化学式(CH3)YSiO2.2/y(0.8≤y≤1.3)表示的、重均分子量不低于1500又不超过6000的无规结构甲基硅氧烷低聚物所组成的。因此，本发明为半导体器件的生产提供了一种具有优良膜性能的绝缘膜。此外，本发明是以键合在硅原子上的有机基团含量调整至总硅原子量的80％-130％的烷氧基硅烷和烷基烷氧基硅烷作为起始材料来制备如上所讨论的涂布液的。

著录项

公开/公告号CN1125481A

专利类型发明专利
公开/公告日1996-06-26

原文格式PDF
申请/专利权人川崎制铁株式会社;
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申请/专利号CN94192429.7
发明设计人中野正;志村真;太田与洋;
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申请日1994-11-11
分类号G01N24/08;H01L21/316;H01L21/66;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人任宗华
地址日本兵库县
入库时间 2023-12-17 12:39:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
1997-12-31

专利申请的视为撤回

专利申请的视为撤回
1996-06-26

公开

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1. 评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法、形成绝缘膜的涂布液及其制备方法、半导体器件用绝缘膜成型方法以及采用绝缘膜成膜法制备半导体器件的方法 [P] . 中国专利： CN1125481A . 1996-06-26
2. 低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件 [P] . 中国专利： CN1275297C . 2006.09.13
3. Method for evaluating siloxanes for forming an insulating film, coating liquid for forming an insulating film, method for producing the same, method for forming an insulating film for a semiconductor device, and method for manufacturing a semiconductor device to which the same is applied FOR FORMING-INSULATION COATING, PROCESS FOR PRODUCING THE FLUID, PROCESS FOR FORMING INSULATION COATING FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE BY APPLYING THE ABOVE PROCESS) [P] . 韩国专利： KR960702610A . 1996-04-27

机译：评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法，用于形成绝缘膜的涂布液，其制备方法，用于半导体器件的绝缘膜的形成方法以及用于制造该半导体膜的半导体器件的形成方法-绝缘涂层，生产流体的过程，形成用于半导体设备的绝缘涂层的过程，以及通过应用上述过程来生产半导体设备的过程）
4. Method for evaluating siloxane for forming insulating film, coating liquid for forming insulating film, method for producing the same, method for forming insulating film for semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device using the same [P] . 日本专利： JPWO95/24639A1 . 1996-06-25

机译：评估用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法，用于形成绝缘膜的涂布液，其制备方法，用于半导体器件的绝缘膜的形成方法以及使用该方法制造半导体器件的方法
5. Coating solution and method for preparing the coating solution, method for forming insulating films for semiconductor devices, and method for evaluating the coating solution [P] . 美国专利： US5998522A . 1999-12-07

机译：涂布液和该涂布液的制备方法，用于半导体器件的绝缘膜的形成方法以及该涂布液的评价方法