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交叉光栅光子晶体以其多次曝光的制造工艺

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通过先后或同时进行两次干涉曝光来制造交叉光栅光子晶体的方法。该方法用光刻法形成一个在原位的掩蔽元件,用光掩模(46)让置于不透明膜(42)上面的光致刻蚀剂(44)曝光,并将带图案的光致刻蚀剂(52)用作掩模,腐蚀掉金属层,在衬底(40)上形成带图形的金属膜(56),由此形成带图案的交叉光栅光子晶体。然后,对带图案的金属膜涂以第二光致刻蚀剂(58),通过衬底(40)的背面对两个同时投射的干涉图案(60)对其曝光,然后显影生成图5I所示的图案。所得的制品可以用作波导、耦合器、分束器和波分复用器。

著录项

公开/公告号CN1329727A

专利类型发明专利
公开/公告日2002-01-02

原文格式PDF
申请/专利权人康宁股份有限公司;
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申请/专利号CN99814054.6
发明设计人 J·-C·科特伏特;B·达赫马尼;C·伦瓦泽;
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申请日1999-06-02
分类号G03F7/22;G03H1/28;
代理机构上海专利商标事务所;
代理人钱慰民
地址美国纽约州
入库时间 2023-12-17 14:10:59

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2005-06-01

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2002-01-02

实质审查的生效

实质审查的生效
2002-01-02

公开

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1. 交叉光栅光子晶体以其多次曝光的制造工艺 [P] . 中国专利： CN1329727A . 2002-01-02
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