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提升总线效率的管路式SDRAM存储器控制器与控制方法

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本发明提出一种提升总线效率的管路式SDRAM存储器控制器与控制方法。所有的存储器指令,根据是否与资料有关,分成背景指令和前景指令。当所指向的背景指令或前景指令符合所有需求限制时,控制器在最快时间发出指令给DRAM总线。背景伫列和前景伫列有限状态机(FSM)控制器除了总线被占据和受次序管理限制之外均独立工作。换句话说,背景指令和前景指令以管路式或重迭方式工作,来得到最佳的总线使用效率。

著录项

公开/公告号CN1376979A

专利类型发明专利
公开/公告日2002-10-30

原文格式PDF
申请/专利权人矽统科技股份有限公司;
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申请/专利号CN01109942.9
发明设计人黄勃为;李明宪;张惠能;陈昭宇;朱遂昕;
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申请日2001-03-26
分类号G06F12/00;G06F13/18;
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址中国台湾
入库时间 2023-12-17 14:27:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-08-04

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F12/00 授权公告日:20041222 申请日:20010326

专利权的终止
2004-12-22

授权

授权
2003-01-22

实质审查的生效

实质审查的生效
2002-10-30

公开

公开
2001-08-15

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效

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1. 提升总线效率的管路式SDRAM存储器控制器与控制方法 [P] . 中国专利： CN1181433C . 2004.12.22
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