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在氧化铝陶瓷上进行金刚石薄膜定向生长的方法

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本发明述及一种在氧化铝陶瓷上进行金刚石薄膜定向生长的方法，其特征在于采用微波等离子体化学气相沉积法进行金刚石薄膜定向沉积，其工艺步骤如下：a.在未沉积金刚石膜之前，采用碳离子注入处理法+对氧化铝陶瓷进行碳离子注入，然后在含有氮气和氢气的混合气氛下进行微波等离子体高温退火处理；b.在经退火处理的氧化铝陶瓷上进行金刚石膜的定向沉积，即将氧化铝陶瓷放置在微波等离子体辐射的石英管反应室中，反应室抽真空并送入氢气和甲烷的混合气体，在特殊装置中和特定工艺下，进行气相沉积金刚石薄膜，而且是定向晶粒形成的金刚石薄膜。

著录项

公开/公告号CN1458129A

专利类型发明专利
公开/公告日2003-11-26

原文格式PDF
申请/专利权人上海大学;
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申请/专利号CN03114880.8
发明设计人夏义本;王林军;方志军;莫要武;簧晓琴;戴雯琦;文黎星;张文广;
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申请日2003-01-14
分类号C04B41/85;C23C16/50;C23C16/27;
代理机构上海上大专利事务所;
代理人王正
地址 200072 上海市延长路149号
入库时间 2023-12-17 15:01:15

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2005-04-20

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2004-02-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-11-26

公开

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