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一种阴离子型超分子插层结构材料的组装方法

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摘要

本发明介绍了一种阴离子型超分子插层结构材料的组装方法，根据LDHs层柱材料的合成原理，选择特定的客体分子，采用返混沉淀插层组装方法，并通过控制层板电荷密度、层板阳离子种类和客体种类将客体分子的阴离子插层组装进入水滑石之间，得到超分子结构层柱材料。该方法不采用N2气保护，操作简便，制备的插层结构LDHs材料晶体晶相单一、结构一致、层间客体纯净。克服了现有插层组装方法中无定型相多、需采用N2气保护，产物层间客体不纯的缺陷。

著录项

  • 公开/公告号CN1467177A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京化工大学;

    申请/专利号CN03119124.X

  • 发明设计人 段雪;任玲玲;李殿卿;

    申请日2003-03-14

  • 分类号C04B35/622;

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人卢国楷

  • 地址 100029 北京市朝阳区北三环东路15号

  • 入库时间 2023-12-17 15:05:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-05-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B35/622 授权公告日:20050216 终止日期:20100314 申请日:20030314

    专利权的终止

  • 2005-02-16

    授权

    授权

  • 2004-03-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-01-14

    公开

    公开

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