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制造内存胞元数组金属位线之方法,制造内存胞元数组之方法及内存胞元数组

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摘要

一种制造内存胞元数组位线(40)之方法包括提供一种层结构，其包括基材(10)(其具植入于其表面的晶体管井(12))的步骤做为第一步骤、在该基材(10)的表面提供的储存介质层序列(20)、及在该储存介质层序列(20)上提供的闸极区域层(22)，位线路凹槽(30)，其在该闸极区域层(22)制造，该位线路凹槽向下延伸至该储存介质层序列(20)，接着，在完全移除该储存介质层序列(20)后，绝缘间隔物层(36)在该位线路凹槽的侧边表面上被制造，于此源极/汲极植入(38)在该位线路凹槽(30)的区域内执行，之后，若此未在植入前被完成，则该基材被完全暴露在该位线路凹槽的区域内。接着，金属化以在露出的基材上制造金属位线路(40)，该金属化由该绝缘间隔物层(36)与该闸极区域层(34)绝缘。

著录项

  • 公开/公告号CN1502134A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-06-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 因芬尼昂技术股份公司;

    申请/专利号CN02805879.8

  • 发明设计人 R·卡科斯奇科;J·威勒;

    申请日2002-02-13

  • 分类号H01L27/115;H01L21/8246;H01L27/105;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人程天正;张志醒

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-12-17 15:18:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-09-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L27/115 授权公告日:20070905 申请日:20020213

    专利权的终止

  • 2007-09-05

    授权

    授权

  • 2004-08-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-06-02

    公开

    公开

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