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具有用于改善可靠性和雪崩耐受性的结合的二极管的高压SOI LDMOS器件

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本发明提出了一种混合型半导体器件，其中把一个或数个二极管区结合到一个晶体管区内。在一个优选实施装置中，晶体管区是一个连续的(自终结型)SOI LDMOS器件，其中结合了一个或几个二极管部分。在二极管部分内，由于只有一个PN结，故不存在由双极接通而造成击穿损坏的机制。二极管区做得使之具有比晶体管区较低的击穿电压，因而任何过渡电压(或电流)诱发的击穿必然被限制在二极管区。在一个优选实施装置中，通过把二极管部分的场极长度做得比器件晶体管部分更短而使其击穿电压降低。这使得器件能免于被任何此类击穿毁坏的危险，从而获得一个更结实可靠的器件。

著录项

公开/公告号CN1522468A

专利类型发明专利
公开/公告日2004-08-18

原文格式PDF
申请/专利权人皇家菲利浦电子有限公司;
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申请/专利号CN02813182.7
发明设计人 J·佩特鲁泽罗;T·J·莱塔维克;M·R·辛普森;
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申请日2002-06-20
分类号H01L27/02;H01L27/12;H01L29/06;
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人肖春京;黄力行
地址荷兰艾恩德霍芬
入库时间 2023-12-17 15:30:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-08-18

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L27/02 授权公告日:20070228 终止日期:20160620 申请日:20020620

专利权的终止
2007-12-05

专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20071102 申请日:20020620

专利申请权、专利权的转移专利权的转移
2007-02-28

授权

授权
2004-10-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-08-18

公开

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