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半导体发光器件及制造方法、集成半导体发光设备及制造方法、图像显示设备及制造方法、照明设备及制造方法

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在蓝宝石衬底上形成n型GaN层和在其上形成六角刻蚀掩膜。通过RIE方法，利用刻蚀掩膜将n型GaN层刻蚀一定深度，形成上表面是C面的六棱柱部分。在刻蚀掩膜被除去之后，以这种方式在衬底的整个表面上依次长出活性层和p型GaN层，以便覆盖六棱柱部分，从而形成发光器件结构。此后，在六棱柱部分上的p型GaN层上形成p侧电极和在n型GaN层上形成n侧电极。

著录项

公开/公告号CN1628391A

专利类型发明专利
公开/公告日2005-06-15

原文格式PDF
申请/专利权人索尼株式会社;
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申请/专利号CN03801828.4
发明设计人大畑丰治;奥山浩之;土居正人;琵琶刚志;铃木淳;
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申请日2003-09-08
分类号H01L33/00;F21S8/00;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人蒲迈文
地址日本东京都
入库时间 2023-12-17 16:16:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-09-09

发明专利申请公布后的驳回

发明专利申请公布后的驳回
2005-08-17

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-06-15

公开

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