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碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块

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本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。

著录项

公开/公告号CN102130021B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-10-24

原文格式PDF
申请/专利权人株洲南车时代电气股份有限公司;中国电力科学研究院;
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申请/专利号CN201110000519.6
发明设计人丁荣军;罗海辉;雷云;李继鲁;吴煜东;刘国友;彭勇殿;张明;温家良;金锐;
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申请日2011-01-04
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人逯长明
地址 412001 湖南省株洲市石峰区时代路
入库时间 2022-08-23 09:11:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-10-24

授权

授权
2011-08-31

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/50 申请日:20110104

实质审查的生效
2011-07-20

公开

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1. 碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块 [P] . 中国专利： CN102130021B . 2012.10.24
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