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薄硅晶片上的发射体绕通背面接触太阳能电池

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摘要

一种薄发射体绕通太阳能电池和制造薄发射体绕通太阳能电池的方法。所述电池优选包括厚度小于280微米的硅晶片衬底。电池背面的p－型区域被最小化，从而最大化集极区域并且减小或消除由p－型区域钝化造成的应力，所述p－型区域钝化是传统电池必须的。本发明电池的效率的峰值出现在比传统电池小得多的厚度处。因此，可以在明显损失效率的情况下使用廉价的低质量硅，从而提供超过其它太阳能电池构造的大的成本优势。穿过衬底连接衬底正面和背面上的发射体层的通孔可以由掺杂的孔组成，或者备选地，可以是通过由梯度驱动过程造成的溶剂迁移而形成的实心的掺杂的沟道，所述溶剂优选含有掺杂物。

著录项

公开/公告号CN1860618A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-11-08

原文格式PDF
申请/专利权人日出能源公司;
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申请/专利号CN200480018805.3
发明设计人吕塞尔·施米特;詹姆斯·M·吉;
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申请日2004-06-30
分类号H01L31/04;H01L31/05;H01L31/18;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人陈长会
地址美国新墨西哥州
入库时间 2023-12-17 17:55:29

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-02-05

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/04 申请公布日:20061108 申请日:20040630

发明专利申请公布后的驳回
2012-01-18

著录事项变更 IPC(主分类):H01L31/04 变更前: 变更后: 申请日:20040630

著录事项变更
2010-05-12

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L31/04 变更前: 变更后: 登记生效日:20100407 申请日:20040630

专利申请权、专利权的转移
2007-01-03

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-11-08

公开

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专利
中文文献
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1. 薄硅晶片上的发射体绕通背面接触太阳能电池 [P] . 中国专利： CN1860618A . 2006-11-08
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