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在制备集成电路产品过程中用于干燥构图晶片的组合物和方法

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摘要

以从构图晶片除去水的方式对构图晶片进行干燥，而其构图结构部分没有塌陷或破坏。本发明的一个方面中用一种组合物进行干燥，该组合物包含超临界流体和至少一种水反应剂，该水反应剂与水化学反应形成比水更溶于超临界流体的反应产物。本发明描述了多种使用超临界流体干燥构图晶片的方法，这些方法避免了超临界流体例如超临界CO2的缺陷(低的水溶性)。

著录项

公开/公告号CN1960813A

专利类型发明专利
公开/公告日2007-05-09

原文格式PDF
申请/专利权人高级技术材料公司;
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申请/专利号CN200480043254.6
发明设计人许从应;迈克尔·克赞斯基;托马斯·H·鲍姆;亚历山大·博罗维克;埃利奥多·G·根丘;
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申请日2004-05-07
分类号B08B3/00(20060101);B08B3/02(20060101);B08B3/10(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人穆德骏;黄启行
地址美国康涅狄格州
入库时间 2023-12-17 18:33:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-08-18

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B08B3/00 公开日:20070509 申请日:20040507

发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-05-09

公开

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