法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-29
专利权的转移 IPC(主分类):C30B29/32 登记生效日:20190308 变更前: 变更后: 申请日:20070606
专利申请权、专利权的转移
2012-02-29
专利权的转移 IPC(主分类):C30B29/32 变更前: 变更后: 登记生效日:20120112 申请日:20070606
专利申请权、专利权的转移
2012-02-15
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):C30B29/32 合同备案号:2011340000482 让与人:中国科学院安徽光学精密机械研究所 受让人:合肥晶桥光电材料有限公司 发明名称:Yb掺杂的锗酸钆、锗酸镧及其熔体法生长方法 公开日:20071114 授权公告日:20090708 许可种类:独占许可 备案日期:20111222 申请日:20070606
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2009-07-08
授权
授权
2008-01-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-11-14
公开
公开
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技术领域
本发明涉及激光材料和晶体生长领域,具体是掺Yb的锗酸镧、掺Yb锗酸钆晶体及其熔体法晶体生长方法。
技术背景
超短脉冲和可调谐固体激光器在超快光谱学、微电子加工、生物医疗、光钟、计量、全息、高容量和高速光通讯等众多领域具有广泛的应用前景。近年来,随着GaAs激光二极管(LD)在900~1100nm波段性能的提高,人们对于二极管泵浦的具有高效率、大能量激光体系中的Yb掺杂激光晶体越来越有兴趣。这是因为Yb离子是比较理想的适合于二极管泵浦的激光激活离子,它具有最简单的能级结构,仅有2F7/2和2F5/2两个多重态,这使得它没有激发态和可见区域的吸收,并避免了上转换和驰豫振荡等激光能量损耗。另外,Yb离子的宽发射带允许超短脉冲的产生,吸收和激发波长之间的较小量子缺陷可产生低的热负载,从而减少一系列不良后果,比如热透镜和热损伤。但是Yb离子的一个缺点是在大多数激光工作物质中,激光下能级位置较低,有较多的热布居粒子数导致激光阈值高,激光效率对热效应非常敏感。为了降低激光工作阈值和提高激光效率,Yb离子需要一个相对较强的晶场,以提高它的基态2F7/2的Stark能级分裂。因此,晶体结构的低对称性和替代位置的多样性对于掺杂Yb的基质材料是很必要的。目前研究最多的LD抽运Yb:YAG晶体,连续激光输出也已经达到数千瓦的水平。但Yb:YAG发射宽度比较窄,激光产生在上能级的最低能级到下能级的次高能级的跃迁,阈值比较高,原因是Yb离子在YAG中的晶场较弱,致使2F7/2的能级分裂较小,激光发射的下能级位置较低。所以寻找Yb离子的发射带宽、2F7/2能级分裂大的激光材料是有意义的工作。本发明的基质晶体可使Yb3+的发射带增宽,2F7/2的能级分裂增大。
发明内容
本发明的目的是提供两种Yb掺杂的锗酸盐及其熔体法生长方法,制备Yb2xRE2(1-x)GeO5,其中:RE代表稀土离子La、Gd,x的取值范围为0.0001~1。Yb2xGd2(1-x)GeO5单晶可用作LD泵浦的超短脉冲激光器、可调谐激光器中的工作物质。
本发明的技术方案如下:
两种Yb掺杂的锗酸盐晶体,其特征在于:化合物的分子式表示为Yb2xRE2(1-x)GeO5,其中:RE代表稀土离子La、Gd,x的取值范围为0.0001~1。
所述的两种Yb掺杂的锗酸盐晶体的熔体法生长方法,其特征在于:
(1)Yb2xRE2(1-x)GeO5晶体生长原料的配料:
A、当RE=La时,采用Yb2O3、La2O3、GeO2作为原料,按如下化合式进行配料,并充分混合均匀: