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用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件

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本发明涉及用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件。根据一个实施例，包括第一晶相的至少部分相变材料被转变为晶相和非晶相之一。与第一晶相相比，第二晶相更容易转变为非晶相。例如，第一晶相可以是六边形闭合密集结构，以及第一晶相可以是面心立方结构。

著录项

公开/公告号CN101106174A

专利类型发明专利
公开/公告日2008-01-16

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;
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申请/专利号CN200710104174.2
发明设计人郑椙旭;孔晙赫;李智惠;赵栢衡;
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申请日2007-05-21
分类号H01L45/00(20060101);H01L27/24(20060101);G11C11/56(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人林宇清;谢丽娜
地址韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
入库时间 2023-12-17 19:41:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-06-08

授权

授权
2008-03-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-01-16

公开

公开

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