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改性多孔质二氧化硅膜的制造方法、由该制造方法得到的改性多孔质二氧化硅膜、及含有该改性多孔质二氧化硅膜的半导体装置

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摘要

本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

著录项

公开/公告号CN101120436A

专利类型发明专利
公开/公告日2008-02-06

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社爱发科;三井化学株式会社;东京毅力科创株式会社;
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申请/专利号CN200680005022.0
发明设计人藤井宣年;高村一夫;三好秀典;田中博文;大池俊辅;村上雅美;窪田武司;藏野义人;
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申请日2006-02-15
分类号H01L21/316(20060101);C01B33/12(20060101);H01L21/768(20060101);H01L23/522(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人陈昕
地址日本神奈川
入库时间 2023-12-17 19:41:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-04-01

授权

授权
2008-04-02

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-02-06

公开

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