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PERL(Passivated Emitter Rear Locally Diffused)型硅基发光管

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本发明是一种与CMOS工艺兼容的PERL(Passivated Emitter Rear Locally Diffused)型硅基发光管器件的结构，该结构的特征在于：所设计的PERL型硅基发光管为侧面小面积发光结构，单侧注入n型层形成p－n结结构，在p－n结正向注入模式下实现硅基发光，发光面采用倒金字塔绒面结构，其与金属背反射电极共同形成光陷阱，提高发光功率。铝正负电极在器件的上下两侧，左侧为铝背反射背电极，右侧为小面积发光，便于与硅基CMOS集成电路结合。同时在电极与半导体材料之间用高质量的SiO

著录项

公开/公告号CN101257078A

专利类型发明专利
公开/公告日2008-09-03

原文格式PDF
申请/专利权人天津工业大学;
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申请/专利号CN200810052779.6
发明设计人李晓云;郭维廉;牛萍娟;刘伟;杨广华;高铁成;
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申请日2008-04-17
分类号H01L33/00;
代理机构
代理人
地址 300160 天津市河东区成林道63号天津工业大学
入库时间 2023-12-17 20:41:01

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-08-04

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/00 公开日:20080903 申请日:20080417

发明专利申请公布后的视为撤回
2008-11-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-09-03

公开

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