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一种应用于低频段的高隔离度宽带RF MEMS开关电路

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摘要

本发明公开了一种应用于低频段的高隔离度宽带RF MEMS开关电路，其特征是：射频电路结构位于衬底(9)上，在衬底(9)的纵向的两端排布有共面波导传输线(8)，MEMS电容式开关(5)位于共面波导传输线(8)的上面；MEMS电容式开关(5)通过弹簧装置的开关梁(6)和加入的短截高阻线(1)与共面波导地平面(7)相连；两个级联的MEMS电容式开关(5)与连接它们的共面波导高阻传输线(4)构成π型调谐电路；在共面波导传输线(8)和共面波导高阻传输线(4)的两侧与共面波导地平面(7)之间分布有衬底刻槽(3)。本发明的RF MEMS电容式并联开关电路可以在低频段获得很高的隔离度性能，同时也保持良好的宽带，有效提高了RF MEMS开关在射频电路和单片集成中的应用性能。

著录项

  • 公开/公告号CN101262083A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院光电技术研究所;

    申请/专利号CN200810102777.3

  • 发明设计人 姚军;张理;邱传凯;

    申请日2008-03-26

  • 分类号H01P1/10(20060101);

  • 代理机构11251 北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人贾玉忠;卢纪

  • 地址 610209 四川省双流350信箱

  • 入库时间 2023-12-17 20:45:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-10-03

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01P1/10 申请公布日:20080910 申请日:20080326

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-03-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-09-10

    公开

    公开

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