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α型SiC－β型SiC结合型反应烧结SiC材料和其制备方法及使用该材料的二体型等离子室阴极

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本发明提供一种α型SiC－β型SiC结合型反应烧结SiC材料和其制备方法及使用该材料的二体型等离子室阴极，特别是用于半导体工程元件的α型SiC－β型SiC结合型反应烧结β型SiC材料和其制备方法，包括：通过常压或加压烧结得到α型SiC粉末，将碳粉末与所述α型SiC粉末混合得到碳－α型SiC混合体，加热所述碳－α型SiC混合体使其成形后，在真空高温环境下，与已调节好电阻的熔融硅反应，从而得到电阻符合于电学特性的β型SiC材料。本发明还提供了一种硅－SiC结构的、呈平坦或一定角度的外廓漏斗状且具有落差的二体型等离子室阴极。

著录项

公开/公告号CN101503295A

专利类型发明专利
公开/公告日2009-08-12

原文格式PDF
申请/专利权人我得实工业贸易有限公司;
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申请/专利号CN200810187101.9
发明设计人郑在克;许赞;
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申请日2008-12-12
分类号C04B35/565;C04B35/622;H01J37/32;H01L21/00;H05H1/24;
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人丁香兰
地址韩国庆尚北道
入库时间 2023-12-17 22:23:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-11-14

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B35/565 申请公布日:20090812 申请日:20081212

发明专利申请公布后的视为撤回
2009-10-07

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-08-12

公开

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