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用于通过基于受应力的注入掩膜的应力记忆法而形成受应变的晶体管的方法

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摘要

通过使用具有高本征应力(intrinsic stress)的注入掩膜，可提供应力记忆技术顺序(SMT)，其中可避免额外的微影步骤。结果，可提供应变源(strain source)而不会显著增加整体工艺的复杂度。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-24

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/8238 授权公告日:20120104 终止日期:20190724 申请日:20070724

专利权的终止
2012-01-04

授权

授权
2010-08-25

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/8238 变更前: 变更后: 登记生效日:20100715 申请日:20070724

专利申请权、专利权的转移
2009-10-21

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-08-26

公开

公开

1. 用于通过基于受应力的注入掩膜的应力记忆法而形成受应变的晶体管的方法 [P] . 中国专利： CN101517731A . 2009-08-26
2. 形成包括具有受应力的信道区的场效晶体管的半导体结构的方法 [P] . 中国专利： CN101584038B . 2011.11.30
3. METHOD FOR FORMING A STRAINED TRANSISTOR BY STRESS MEMORIZATION BASED ON A STRESSED IMPLANTATION MASK [P] . 韩国专利： KR101367349B1 . 2014-02-26

机译：基于应力注入面的应力记忆法形成应变晶体管的方法
4. METHOD FOR FORMING A STRAINED TRANSISTOR BY STRESS MEMORIZATION BASED ON A STRESSED IMPLANTATION MASK [P] . SG150014A1 . 2009-03-30

机译：基于应力注入面的应力记忆法形成应变晶体管的方法
5. METHOD FOR FORMING A STRAINED TRANSISTOR BY STRESS MEMORIZATION BASED ON A STRESSED IMPLANTATION MASK [P] . 韩国专利： KR20090046907A . 2009-05-11

机译：基于应力注入面的应力记忆法形成应变晶体管的方法