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在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法

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摘要

本发明公开了一种在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法，包括如下步骤：在多晶硅膜层上淀积第一层氮化硅膜层；在第一层氮化硅膜层上涂布光刻胶，光刻定义沟槽区域；刻蚀曝光露出的第一层氮化硅膜层，去除剩余光刻胶；在刻蚀后的第一层氮化硅膜层上淀积第二层氮化硅膜层；干法刻蚀第二层氮化硅膜层，并在第一层氮化硅膜层中形成侧墙和隔离区；用刻蚀后剩余的氮化硅膜层作为硬掩膜层，刻蚀多晶硅膜层，在多晶硅膜层内形成窄沟槽结构；去除剩余的氮化硅膜层。本发明不需要改进光刻设备即可在多晶硅膜层中制备宽度＜＝0.10um的窄沟槽结构，且窄沟槽的宽度可以通过改变第二层氮化硅膜层的厚度控制。

著录项

  • 公开/公告号CN101625967A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-01-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN200910055509.5

  • 发明设计人 徐爱斌;李荣林;李栋;董耀旗;宗登刚;

    申请日2009-07-28

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所;

  • 代理人郑玮

  • 地址 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号

  • 入库时间 2023-12-17 23:18:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-16

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20100113 申请日:20090728

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-09-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20090728

    实质审查的生效

  • 2010-01-13

    公开

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