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采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法

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本发明公开了一种采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法，该方法包括：步骤1、向反应室中引入第一类前驱物，以非自限制的方式沉积第一层薄膜；步骤2、排空第一类前驱物；步骤3、向反应室中引入第二类前驱物，以非自限制的方式沉积第二层薄膜；步骤4、排空第二类前驱物；步骤5、向反应室中引入第三类前驱物，以非自限制的方式沉积第三层薄膜；步骤6、排空第三类前驱物；步骤7、继续以上步骤，依次沉积第四层至第N层薄膜，直到薄膜生长完成为止，N为自然数。本发明采用脉冲控制的非自限制生长原理生长纳米叠层复合薄膜，生长速度快，台阶覆盖能力强，且对多层薄膜组分的控制能力强，可用于多层叠层纳米复合薄膜的快速生长。

著录项

公开/公告号CN101798682A

专利类型发明专利
公开/公告日2010-08-11

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN200910077627.6
发明设计人李超波;夏洋;汪明刚;刘杰;陈瑶;赵丽莉;
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申请日2009-02-09
分类号C23C16/44;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-18 00:31:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-02-13

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C16/44 申请公布日:20100811 申请日:20090209

发明专利申请公布后的驳回
2010-09-29

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/44 申请日:20090209

实质审查的生效
2010-08-11

公开

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