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ZnO类基板及ZnO类基板的处理方法、以及ZnO类半导体元件

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摘要

本发明的目的在于提供适于晶体生长的具有品质良好的表面的ZnO类基板及ZnO类基板的处理方法、以及ZnO类半导体元件。为此，本发明的ZnO类基板具有下述构成：在该基板的进行晶体生长一侧的主面表面上基本上不存在羧基或碳酰二氧基。另外，为使其主面表面上存在的羧基或碳酰二氧基基本上为零，在晶体生长开始之前使ZnO类基板表面与氧自由基、氧等离子体、臭氧中的任意物质接触。由此，可提高ZnO类基板表面的清洁化，进而在基板上制作品质良好的ZnO类薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN101932756A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 罗姆股份有限公司;

    申请/专利号CN200980103866.2

  • 发明设计人 中原健;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦;

    申请日2009-01-30

  • 分类号C30B29/22;H01L21/3065;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人封新琴

  • 地址 日本京都府

  • 入库时间 2023-12-18 01:39:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-05-15

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/3065 申请公布日:20101229 申请日:20090130

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/22 申请日:20090130

    实质审查的生效

  • 2010-12-29

    公开

    公开

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