首页> 中国专利> 纳米级ULSI-Cu布线HfSiN扩散阻挡层薄膜及制备工艺

纳米级ULSI-Cu布线HfSiN扩散阻挡层薄膜及制备工艺

摘要

本发明公开了一种纳米级超大规模集成电路(ULSI)Cu布线HfSiN扩散阻挡层材料及其制备工艺。本发明的材料是在Si基底上有一层由Hf靶或Si靶或HfSi合金靶溅射沉积的非晶态HfSiN薄膜,且非晶态HfSiN薄膜总厚度≤45nm,其工艺是利用射频磁控溅射工艺在高真空下,N

著录项

  • 公开/公告号CN101969067A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-02-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 云南大学;

    申请/专利号CN201010285661.5

  • 申请日2010-09-18

  • 分类号

  • 代理机构昆明今威专利代理有限公司;

  • 代理人赵云

  • 地址 650093 云南省昆明市五华区翠湖北路2号

  • 入库时间 2023-12-18 01:48:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-07-11

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/02 公开日:20110209 申请日:20100918

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/02 申请日:20100918

    实质审查的生效

  • 2011-02-09

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号