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通过封装键合结构而提升半导体装置的反应性金属表面上的导线键合安定性

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摘要

本发明提供一种例如基于铜的精密金属化系统的导线键合结构，通过在线键合程序之后提供填充材料(250)以至少封装敏感的金属表面(212S)及键合线(230)的一部分，而无需端子铝层且无须任何用于暴露的铜表面(212S)的钝化层。因此，显著的成本降低、缩减的周期时间以及所需程序步骤的减少可以无关于所使用的线键合材料而实现。因此，需要精密的金属化系统的集成电路可基于用于至少封装敏感金属表面(212S)的相应的填充材料(250)，而以所需的可靠度等级通过线键合而连结至相应的封装件(260)或载体基板。

著录项

  • 公开/公告号CN102132400A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格罗方德半导体公司;

    申请/专利号CN200980133170.4

  • 发明设计人 A·迈尔斯;M·莱尔;F·屈兴迈斯特;

    申请日2009-08-29

  • 分类号H01L23/24;H01L23/485;H01L21/56;H01L23/31;H01L21/60;

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 英国开曼群岛

  • 入库时间 2023-12-18 03:04:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-05-02

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/24 公开日:20110720 申请日:20090829

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-07-20

    公开

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