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形成经松弛半导体材料层、半导体结构、装置的方法及包含经松弛半导体材料层、半导体结构、装置的工程衬底

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摘要

本发明揭示制作经松弛半导体材料层的方法，其包含形成上覆在顺从性材料层上的半导体材料结构及随后更改所述顺从性材料的粘度以减小所述半导体材料内的应变。可在沉积第二半导体材料层期间使所述顺从性材料回流。可选择所述顺从性材料，使得在沉积所述第二半导体材料层时更改所述顺从性材料的粘度，从而赋予所述结构的松弛。在一些实施例中，所述半导体材料层可包括III-V型半导体材料，举例来说，氮化铟镓。本发明还揭示制作半导体结构及装置的方法。在此类方法期间形成新颖的中间结构。工程衬底包含安置在展现可改变粘度的材料层上的包括半导体材料的多个结构。

著录项

公开/公告号CN102239538A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-11-09

原文格式PDF
申请/专利权人 S.O.I.探测硅绝缘技术公司;飞利浦露明光学公司;皇家飞利浦电子股份有限公司;
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申请/专利号CN200980136825.3
发明设计人法布里斯·勒泰特;布鲁斯·福雷;迈克尔·R·克拉梅什;内森·F·加德纳;
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申请日2009-09-21
分类号H01L21/02;
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人章蕾
地址法国克洛勒
入库时间 2023-12-18 03:43:07

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-02-12

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20111109 申请日:20090921

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-12-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20090921

实质审查的生效
2011-11-09

公开

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