首页> 中国专利> SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD保护结构

SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD保护结构

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及一种SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD保护结构，其包括SOI基板，所述SOI基板包括硅膜；所述硅膜上设置有源区，所述有源区的外圈设有隔离区；所述有源区包括第一导电类型扩散区，所述第一导电类型扩散区的外圈设有第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底的外圈设有第二导电类型扩散区；所述第一导电类型衬底的上方设有栅氧化层，所述栅氧化层上设有多晶硅栅，所述多晶硅栅呈环形。本发明结构简单、工艺步骤与传统SOI工艺兼容，容易实现，使用了经过工艺和版图优化的N-型栅控二极管结构，可以提高SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD耐受水平。

著录项

公开/公告号CN102364687A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-02-29

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子科技集团公司第五十八研究所;
展开▼

申请/专利号CN201110343584.9
发明设计人罗静;薛忠杰;周昕杰;胡永强;周毅;
展开▼

申请日2011-11-03
分类号H01L27/02;
代理机构无锡市大为专利商标事务所;
代理人殷红梅
地址 214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
入库时间 2023-12-18 04:25:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-04-16

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L27/02 申请公布日:20120229 申请日:20111103

发明专利申请公布后的驳回
2012-04-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20111103

实质审查的生效
2012-02-29

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD保护结构 [P] . 中国专利： CN102364687A . 2012-02-29
2. SOI/CMOS集成电路输出缓冲器的ESD保护结构 [P] . 中国专利： CN101355357A . 2009-01-28
3. ESD PROTECTION STRUCTURE IN SOI CIRCUIT AND METHOD FOR MAKING THE SAME [P] . 世界知识产权组织专利： WO2012058840A1 . 2012-05-10

机译： SOI电路中的ESD保护结构及其制造方法
4. ESD protection structures on SOI substrates [P] . 美国专利： US8288822B2 . 2012-10-16

机译： SOI基板上的ESD保护结构
5. ESD protection structures on SOI substrates [P] . 美国专利： US7994577B2 . 2011-08-09

机译： SOI基板上的ESD保护结构