法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-11-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S3/0941 申请公布日:20120307 申请日:20110602
发明专利申请公布后的驳回
2012-04-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S3/0941 申请日:20110602
实质审查的生效
2012-03-07
公开
公开
机译: 半导体激光器泵浦固态激光器放大器,半导体激光器激励固体激光器装置,以及在半导体激光器泵浦固态激光器放大器中冷却半导体激光器的方法
机译: 光泵浦发射辐射的半导体器件包括具有泵浦辐射源和表面发射量子阱结构的半导体本体,以及用于将泵浦辐射耦合到量子阱结构中的凹槽。
机译: 具有附加NMOS晶体管和电容器的提高泵浦效率的PMOS泵浦电路