• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> 硅化物阻止层刻蚀方法、通孔刻蚀停止层形成方法

硅化物阻止层刻蚀方法、通孔刻蚀停止层形成方法

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献

摘要

本发明提供了一种硅化物阻止层刻蚀方法以及通孔刻蚀停止层形成方法。根据本发明的硅化物阻止层刻蚀方法包括：硅化物阻止层生长步骤，用于在半导体器件表面生长硅化物阻止层；光刻胶涂覆步骤，用于在PMOS半导体器件上的硅化物阻止层上涂覆光刻胶，其中在NMOS半导体器件上的硅化物阻止层上没有涂覆光刻胶；离子注入步骤，在涂覆所述光刻胶之后进行中性元素注入；光刻胶去除步骤，去除光刻胶；以及刻蚀步骤，在去除光刻胶之后对硅化物阻止层执行刻蚀。本发明对不同导电类型的MOS管形成不同的侧墙形貌，通孔刻蚀停止层与不同导电类型的MOS晶体管的沟道之间的距离得以调整，在改善一种器件的性能的同时，降低通孔刻蚀停止层应力对另一种器件的负面影响。

著录项

  • 公开/公告号CN102437051A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201110379533.1

  • 发明设计人 俞柳江;

    申请日2011-11-24

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陆花

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

  • 入库时间 2023-12-18 05:04:15

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号