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具有用于所有阱间和阱内隔离的深沟槽隔离区并且具有到达相邻装置扩散区和下面的浮置阱区之间的结的共享接触的集成电路装置

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公开了改进的集成电路装置结构(200)(例如，静态随机存取存储器(SRAM)阵列结构或并入P型装置和N型装置的其它集成电路装置结构)(121a和121b)和形成该结构的方法的实施例，该方法将DTI区(160)用于所有阱间和阱内隔离，从而提供一种低成本隔离方案，其避免了由于STI-DTI未对准引起的FET宽度变化。此外，因为用于阱内隔离的DTI区(160)可有效地产生一些浮置阱区(203)，所述浮置阱区必须各自连接至电源电压(例如，Vdd)(280)以防止阈值电压(Vt)变化，所以公开的集成电路装置也包括：相邻装置(121a和121b)的扩散区(221和222)与下面的浮置阱区(205)之间的结的共享接触(280)。这个共享接触(280)消除了如果每一个浮置阱区(205)需要分立的电源电压接触将产生的成本和面积损失。

著录项

公开/公告号CN102428556A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-04-25

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN201080021329.6
发明设计人 B.A.安德森;A.布赖恩特;E.J.诺瓦克;
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申请日2010-05-04
分类号H01L21/8244(20060101);H01L27/11(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人邱军
地址美国纽约阿芒克
入库时间 2023-12-18 05:04:15

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