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可控生成量子点或量子线的方法

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本发明公开了一种可控生成量子点或量子线的方法，属于低维量子材料制备领域。该方法包括：在溶解有量子点或量子线材料的溶液中设置生长量子点或量子线的衬底，在所述衬底底面设置与衬底下表面接触的电极；在所述溶液与所述电极之间施加电压形成稳恒电场，使溶液中的量子点或量子线材料在所述稳恒电场的电场力的作用下向所述衬底上的电极所在的位置沉降，在所述电极所对应位置的衬底上生长量子点或量子线；调整所述电极的位置控制量子点或量子线在衬底上的生长位置。该方法操作简单，可控效果好，可实现任意量子点或量子线位置的可控生长，为量子器件的加工制造奠定基础。

著录项

公开/公告号CN102431964A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-02

原文格式PDF
申请/专利权人北京石油化工学院;
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申请/专利号CN201110421304.1
发明设计人武光明;邢光建;张志乾;周洋;
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申请日2011-12-15
分类号B81C1/00(20060101);B82Y40/00(20110101);
代理机构11260 北京凯特来知识产权代理有限公司;
代理人郑立明;赵镇勇
地址 100083 北京市大兴区黄村清源北路19号
入库时间 2023-12-18 05:08:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-08-13

授权

授权
2012-06-27

实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20111215

实质审查的生效
2012-05-02

公开

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