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非晶硅热敏薄膜及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法

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摘要

本发明针对现有技术中在制备非制冷红外探测器中的热敏薄膜的过程中，PECVD方法的工艺窗口狭窄、形成热敏薄膜的过程中易导致工艺波动的缺陷，提供了一种非晶硅热敏薄膜的制备方法以及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法，能够提供宽的工艺窗口并克服热敏薄膜制备过程中的工艺波动。一种非晶硅热敏薄膜的制备方法，该方法包括：将晶圆放入等离子增强化学气相淀积反应腔中，对所述晶圆进行本征非晶硅薄膜淀积；对淀积后的本征非晶硅薄膜进行注入掺杂。

著录项

公开/公告号CN102479879A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-30

原文格式PDF
申请/专利权人比亚迪股份有限公司;
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申请/专利号CN201010572668.5
发明设计人姚日英;王祝山;
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申请日2010-11-29
分类号H01L31/18;G01J5/20;C23C16/24;C23C16/56;
代理机构北京润平知识产权代理有限公司;
代理人南毅宁
地址 518118 广东省深圳龙岗区坪山镇横坪公路3001号
入库时间 2023-12-18 05:25:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-11-04

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20120530 申请日:20101129

发明专利申请公布后的驳回
2012-12-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20101129

实质审查的生效
2012-05-30

公开

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