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测量CCD芯片暗信号非均匀性和光子响应非均匀性的方法

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本发明公开了一种测量CCD芯片暗信号非均匀性和光子响应非均匀性的方法。主要解决目前对CCD的性能参数测量精确度不够的问题。其实现步骤为：选取CCD芯片量子效率最大所对应的波长η，设置波长可调的单色均匀光源系统，产生波长为η的单色光；然后选取使CCD芯片50％曝光所对应的积分时间，以该积分时间作为参数控制CCD芯片拍摄两组图像序列上传至计算机；根据这两组图像计算总的平均灰度值和空间方差计算出CCD芯片的暗信号非均匀性DSNU和光子响应非均匀性PRNU参数，本发明具有测量精度高、稳定性好的优点。可用于对CCD芯片性能的评估。

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公开/公告号CN102508144A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-06-20

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
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申请/专利号CN201110329867.8
发明设计人邵晓鹏;王阳;张临临;王杨;杨晓晖;范华;卢光旭;马菁汀;吕斐;许宏涛;
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申请日2011-10-26
分类号G01R31/26(20060101);G01M11/02(20060101);
代理机构61205 陕西电子工业专利中心;
代理人王品华;朱红星
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-12-18 05:34:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-01-14

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01M11/02 申请公布日:20120620 申请日:20111026

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-07-18

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20111026

实质审查的生效
2012-06-20

公开

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