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光存储单元、光存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的光存储单元、光存储器及其制备方法。本发明中,通过对有机场效应晶体管的有机半导体层中掺杂金属或金属氧化物纳米点存储层,光照时有机场效应晶体管中产生的载流子会存储到该纳米点存储层中,当光照撤掉后载流子依然存储在纳米点层中,不会消失,因此,回滞效应在光照撤掉后依然存在,从而开发了有机场效应晶体管在光存储器方面的应用。

著录项

  • 公开/公告号CN102723437A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-10-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201110076540.4

  • 申请日2011-03-29

  • 分类号H01L51/10(20060101);H01L51/05(20060101);G11B7/26(20060101);H01L51/40(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人宋焰琴

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-12-18 06:52:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-08

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L51/10 申请公布日:20121010 申请日:20110329

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-11-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/10 申请日:20110329

    实质审查的生效

  • 2012-10-10

    公开

    公开

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