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具有多重氮氧化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆叠

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摘要

本发明提供一种包括硅-氧化物-氮氧化物-氧化物-硅结构的半导体装置及其形成方法。一般而言，该结构包含：在包括硅的基板的表面上的隧道氧化物层；多层电荷储存层，其包括该隧道氧化物层上的富氧第一氮氧化物层，其中该第一氮氧化物层的化学计算量组成导致其实质上无陷阱，及该第一氮氧化物层上的贫氧第二氮氧化物层，其中该第二氮氧化物层的化学计算量组成导致其陷阱致密；该第二氮氧化物层上的阻挡氧化物层；及该阻挡氧化物层上的含硅闸极层。亦揭示其他具体实例。

著录项

公开/公告号CN102714223A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-10-03

原文格式PDF
申请/专利权人赛普拉斯半导体公司;
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申请/专利号CN201280000107.5
发明设计人赛格·利维;克里希纳斯瓦米·库马尔;斐德列克·杰能;萨姆·吉哈;
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申请日2012-01-17
分类号H01L29/792;H01L21/336;
代理机构北京银龙知识产权代理有限公司;
代理人钟晶
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-18 06:52:28

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-01-18

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/792 申请公布日:20121003 申请日:20120117

发明专利申请公布后的驳回
2014-02-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/792 申请日:20120117

实质审查的生效
2012-10-03

公开

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