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交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法、写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法,及计算机系统

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摘要

本发明描述交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法以及写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法。在一个实施例中，交叉点存储器单元包含：字线，其沿第一方向延伸；位线，其沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述位线与所述字线在彼此无物理接触的情况下交叉；及电容器，其形成于所述字线与所述位线之间此交叉所在处。所述电容器包括经配置以防止DC电流从所述字线流动到所述位线及从所述位线流动到所述字线的电介质材料。

著录项

公开/公告号CN102763165A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-10-31

原文格式PDF
申请/专利权人美光科技公司;
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申请/专利号CN201180009631.4
发明设计人罗伊·E·米迪;
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申请日2011-01-31
分类号G11C11/00;G11C7/10;
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人宋献涛
地址美国爱达荷州
入库时间 2023-12-18 07:11:56

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-05-20

授权

授权
2012-12-26

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/00 申请日:20110131

实质审查的生效
2012-10-31

公开

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