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电性测试结构及其制备方法、电性测试工艺

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摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电性测试结构及其制备方法、电性测试工艺，可应用于在层间介质层及后段制程之前，对栅氧化层进行的电性测试工艺，即通过在形成有栅极的电性测试结构上，设置分别与栅氧化层及衬底连接的微型垫，在大大降低量测工艺难度的同时，还能在不用对晶圆衬底进行破坏的前提下，实现对NMOS器件及PMOS器件的栅氧化层的电性测试，以在有效的避免对测试样品造成的损伤同时，大大提高测试效率，有效降低工艺成本。

著录项

  • 公开/公告号CN104538382A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉新芯集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201510003666.7

  • 发明设计人 郭强;龚斌;

    申请日2015-01-05

  • 分类号H01L23/544;H01L21/66;

  • 代理机构上海申新律师事务所;

  • 代理人吴俊

  • 地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

  • 入库时间 2023-12-18 08:20:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-04

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L23/544 申请公布日:20150422 申请日:20150105

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2015-05-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/544 申请日:20150105

    实质审查的生效

  • 2015-04-22

    公开

    公开

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