法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-13
授权
授权
2015-07-01
实质审查的生效 IPC(主分类):G01B5/12 申请日:20150204
实质审查的生效
2015-06-03
公开
公开
技术领域
本发明属于检测半圆孔的检具,具体涉及一种检测半圆孔直径和深度的检具及第一、第二、第三子检具。
背景技术
在机加行业,尤其发动机零部件加工行业,普遍存在半圆孔的加工。由于半圆孔的直径尺寸和深度尺寸相互关联,用常用的深度或直径检具无法直接检测,需采用三坐标机检测或通过其它多种检具检测计算才能对其合格性进行评判,耗时至少10分钟以上,费时费力占场地。对于大批量生产来说,半圆孔尺寸检测控制成为一个瓶颈问题。因此,有必要开发一种检测半圆孔直径及深度的检具。
发明内容
本发明的目的是提供一种检测半圆孔直径和深度的检具及第一、第二、第三子检具,能快速、直接、准确地判断出半圆孔的直径和深度是否合格。
本发明所述的检测半圆孔直径和深度的检具,包括第一子检具、第二子检具和第三子检具;
所述第一子检具包括第一基体以及连接在第一基体中部的第一测量体,该第一基体在朝向第一测量体的两侧肩上分别设有第一刀口,第一测量体整体呈近似半圆体,其与第一基体连接的一端为平面,另一端为半圆弧面,且第一测量体的直径为被测半圆孔直径的极小值d,高度为被测半圆孔深度的极大值c;
所述第二子检具包括第二基体以及连接在第二基体中部的第二测量体,第二测量体整体呈近似半圆体,其与第二基体连接的一端为平面,另一端为半圆弧面,在半圆弧面上设有第二刀口,且第二测量体的直径为被测半圆孔直径的极小值d,高度为被测半圆孔深度的极小值e;
所述第三子检具包括第三基体以及连接在第三基体中部的第三测量体,第三测量体整体呈近似半圆体,其与第三基体连接的一端为平面,另一端为半圆弧面,在半圆弧面的中部设有第三刀口,第三测量体的直径为被测半圆孔直径的极大值f,高度为被测半圆孔深度的极大值c。
使用时,首先将第一测量体垂直伸入到被测半圆孔内,并确保第一测量体的半圆弧面与半圆孔的底面贴合,观察第一刀口与被测半圆孔的基准平面k之间是否有光隙,若有,则表示该被测半圆孔的直径D大于极小值d,被测半圆孔的深度H小于极大值c;若无,则该被测半圆孔不合格。然后将第二测量体垂直伸入到被测半圆孔内,使第二基体的基体结合面与被测半圆孔的基准平面k相贴合,观察第二刀口部位的最下方是否有光隙,若有,则该被测半圆孔的深度H大于极小值e;若无,则该被测半圆孔不合格。最后将第三测量体垂直伸入到被测半圆孔内,确保第三测量体的非刀口部位的圆柱面与被测半圆孔的柱面相切,观察第三刀口部位的最下方是否有光隙,若有,则该被测半圆孔的直径D小于极大值f;若无,则该被测半圆孔不合格。
所述连接体具有三个端部,三个端部分别与第一基体的中部、第二基体的中部以及第三基体的中部一一对应连接,并在第一基体、第二基体以及第三基体上设有对应测量功能的标识,比各子检具分开测量,其速度又快了一倍以上。
本发明所述的第一子检具,包括第一基体以及连接在第一基体中部的第一测量体,该第一基体在朝向第一测量体的两侧肩上分别设有第一刀口,第一测量体整体呈近似半圆体,其与第一基体连接的一端为平面,另一端为半圆弧面,且第一测量体的直径为被测半圆孔直径的极小值d,高度为被测半圆孔深度的极大值c。
使用时,将第一测量体垂直伸入到被测半圆孔内,并确保第一测量体的半圆弧面与半圆孔的底面贴合,观察第一刀口与被测半圆孔的基准平面k之间是否有光隙,若有,则表示该被测半圆孔的直径D大于极小值d,被测半圆孔的深度H小于极大值c;若无,则该被测半圆孔不合格。
本发明所述的第二子检具,包括第二基体以及连接在第二基体中部的第二测量体,第二测量体整体呈近似半圆体,其与第二基体连接的一端为平面,另一端为半圆弧面,在半圆弧面上设有第二刀口,且第二测量体的直径为被测半圆孔直径的极小值d,高度为被测半圆孔深度的极小值e。
使用时,将第二测量体垂直伸入到被测半圆孔内,使第二基体的基体结合面与被测半圆孔的基准平面k相贴合,观察第二刀口部位的最下方是否有光隙,若有,则该被测半圆孔的深度H大于极小值e;若无,则该被测半圆孔不合格。
本发明所述的第三子检具,包括第三基体以及连接在第三基体中部的第三测量体,第三测量体整体呈近似半圆体,其与第三基体连接的一端为平面,另一端为半圆弧面,在半圆弧面的中部设有第三刀口,且第三测量体的直径为被测半圆孔直径的极大值f,高度为被测半圆孔深度的极大值c。
使用时,将第三测量体垂直伸入到被测半圆孔内,确保第三测量体的非刀口部位的圆柱面与被测半圆孔的柱面相切,观察第三刀口部位的最下方是否有光隙,若有,则该被测半圆孔的直径D小于极大值f;若无,则该被测半圆孔不合格。
本发明具有以下优点:利用本发明所述的检具来检测半圆孔的直径和深度是否合格,仅需几秒钟,并且准确度高;另外该检具的结构非常简单,成本低,易加工和使用。
附图说明
图1为本发明所述检测半圆孔直径和深度的检具的结构示意图;
图2为图1中沿A-A线的剖面图;
图3为具有被测半圆孔样件的结构示意图;
图4为图1的使用状态图之一(即T-T 检测示意图);
图5为图1的使用状态图之二(即T-Z 检测示意图);
图6为图5中沿B-B线的剖面图;
图7为图1的使用状态图之三(即Z-Z 检测示意图);
图8为图7中沿C-C线的剖面图;
图9为本发明所述第一子检具的结构示意图;
图10为本发明所述第二子检具的结构示意图;
图11为本发明所述第三子检具的结构示意图;
图中, 1、第一基体,1a、第一刀口,2、第一测量体、3、螺钉,4、连接体,5、第二基体,5a、基体接合面,6、第二测量体,6a、第二刀口,7、第三基体,8、第三测量体,8a、第三刀口,9、被测样件,9a、被测圆孔,c、半圆孔深度H的极大值,d、半圆孔直径D的极小值,e、半圆孔深度H的极小值,f、半圆孔直径D的极大值,g1~g3、光隙观察区域,H、被测半圆孔的深度,D、被测半圆孔的直径、k、被测基准平面。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明:
如图1所示的检测半圆孔直径和深度的检具,包括第一子检具、第二子检具和第三子检具。第一子检具包括第一基体1以及通过螺钉3连接在第一基体1中部的第一测量体2,该第一基体1在朝向第一测量体2的两侧肩上分别设有第一刀口1a,第一测量体2整体呈近似半圆体,其与第一基体1连接的一端为平面,另一端为半圆弧面,且第一测量体2的直径为被测半圆孔9a直径的极小值d,高度为被测半圆孔9a深度的极大值c。第二子检具包括第二基体5以及通过螺钉3连接在第二基体5中部的第二测量体6,第二测量体6整体呈近似半圆体,其与第二基体5连接的一端为平面,另一端为半圆弧面,在半圆弧面上设有第二刀口6a,且第二测量体6的直径为被测半圆孔9a直径的极小值d,高度为被测半圆孔9a深度的极小值e。第三子检具包括第三基体7以及通过螺钉3连接在第三基体7中部的第三测量体8,第三测量体8整体呈近似半圆体,其与第三基体7连接的一端为平面,另一端为半圆弧面,在半圆弧面的中部设有第三刀口8a,第三测量体8的直径为被测半圆孔9a直径的极大值f,高度为被测半圆孔9a深度的极大值c。
如图2至图8所示,使用时,首先将第一测量体2垂直伸入到被测样件9的被测半圆孔9a内,并确保第一测量体2的半圆弧面与半圆孔的底面贴合,观察第一刀口1a与被测半圆孔9a的基准平面k之间(即图4中g1所指的区域)是否有光隙,若有,则表示该被测半圆孔9a的直径D大于极小值d,被测半圆孔9a的深度H小于极大值c;若无,则该被测半圆孔9a不合格。然后将第二测量体6垂直伸入到被测半圆孔9a内,使第二基体5的基体结合面5a与被测半圆孔9a的基准平面k相贴合,观察第二刀口6a部位的最下方(即图5中g2所指的区域)是否有光隙,若有,则表示该被测半圆孔9a的深度H大于极小值e;若无,则表示该被测半圆孔9a不合格。最后将第三测量体8垂直伸入到被测半圆孔9a内,确保第三测量体8的非刀口部位的圆柱面与被测半圆孔9a的柱面相切,观察第三刀口8a部位的最下方(即图7中g3所指的区域)是否有光隙,若有,则表示该被测半圆孔9a的直径D小于极大值f;若无,则表示该被测半圆孔9a不合格。
如图1所示,连接体4具有三个端部,三个端部分别与第一基体1的中部、第二基体5的中部以及第三基体7的中部一一对应连接。并在第一基体1、第二基体5以及第三基体7上设有对应测量功能的标识,比各子检具分开测量,其速度又快了一倍以上。
如图9所示,本发明的第一子检具用于检测被测半圆孔9a的直径D是否大于极小值d,深度H是否小于极大值c。该第一子检具包括第一基体1以及通过螺钉3连接在第一基体1中部的第一测量体2,该第一基体1在朝向第一测量体2的两侧肩上分别设有第一刀口1a,第一测量体2整体呈近似半圆体,其与第一基体1连接的一端为平面,另一端为半圆弧面,且第一测量体2的直径为被测半圆孔9a直径的极小值d,高度为被测半圆孔9a深度的极大值c。
如图4所示,使用时,将第一测量体2垂直伸入到被测半圆孔9a内,并确保第一测量体2的半圆弧面与半圆孔的底面贴合,观察第一刀口1a与被测半圆孔9a的基准平面k之间(即图4中g1所指的区域)是否有光隙,若有,则表示该被测半圆孔9a的直径D大于极小值d,被测半圆孔9a的深度H小于极大值c;若无,则表示该被测半圆孔9a不合格。
如图10所示,本发明的第二子检具用于检测被测半圆孔9a的深度H是否大于极小值e,该第二子检具包括第二基体5以及通过螺钉3连接在第二基体5中部的第二测量体6,第二测量体6整体呈近似半圆体,其与第二基体5连接的一端为平面,另一端为半圆弧面,在半圆弧面上设有第二刀口6a,且第二测量体6的直径为被测半圆孔9a直径的极小值d,高度为被测半圆孔9a深度的极小值e。
如图5所示,使用时,将第二测量体6垂直伸入到被测半圆孔9a内,使第二基体5的基体结合面5a与被测半圆孔9a的基准平面k相贴合,观察第二刀口6a部位的最下方(即图5中g2所指的区域)是否有光隙,若有,则表示该被测半圆孔9a的深度H大于极小值e;若无,则表示该被测半圆孔9a不合格。
如图11所示,本发明的第三子检具用于检测被测半圆孔9a的直径D是否小于极大值f,该第三子检具包括第三基体7以及通过螺钉3连接在第三基体7中部的第三测量体8,第三测量体8整体呈近似半圆体,其与第三基体7连接的一端为平面,另一端为半圆弧面,在半圆弧面上设有第三刀口8a,且第三测量体8的直径D为被测半圆孔9a直径的极大值f,高度为被测半圆孔9a深度的极大值c。
如图7所示,使用时,将第三测量体8垂直伸入到被测半圆孔9a内,确保第三测量体8的非刀口部位的圆柱面与被测半圆孔9a的柱面相切,观察第三刀口8a部位的最下方(即图7中g3所指的区域)是否有光隙,若有,则表示该被测半圆孔9a的直径D小于极大值f;若无,则表示该被测半圆孔9a不合格。
本发明适用于被测产品的半圆孔深度公差值远大于半圆孔孔径公差值的尺寸控制,当被测产品的孔径公差值与深度公差值接近时,或孔径公差值大于深度公差值时,需在工艺上考虑提高孔径公差等级来达到使用本发明所述检具的检测控制目的。工艺分析:半圆孔孔径尺寸一般由成形刀控制,误差来源少,容易保证;深度尺寸则跟刀具、夹具、设备等都有关联,误差来源多,不易保证。故当产品设计要求半圆孔孔径公差值接近或大于深度公差值时,可根据工艺能力适当提高孔径公差等级来满足本发明检具的使用。
机译: 薄膜晶体管阵列面板具有像素电极,该像素电极包括:第一子像素电极和第二子像素电极,该第一子像素电极和第二子像素电极连接至该薄膜晶体管的漏极;以及第三子像素电极,该第三子像素电极电容性地耦合至从该漏极延伸的耦合电极
机译: 基于SEDC的错误检测设备,用于可编程的移位/旋转操作单元和自检具有该设备的可编程的移位/旋转操作单元
机译: 用于在非接触条件下检测被检物体电压的电位传感器,以实现更高的检具速度