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基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法

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一种基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法，其中基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管，包括：一SOI衬底；一源区，其位于SOI衬底上面的一侧；一漏区，其位于SOI衬底上面的另一侧；一硅纳米线，该硅纳米线位于SOI衬底上，该硅纳米线连接源区与漏区；一绝缘介质薄膜层，该绝缘介质薄膜层制作于该硅纳米线以及源区、漏区的表面；一多晶硅栅条，该栅条制作于源区与漏区之间的硅纳米线上及两侧，并垂直于硅纳米线，在多晶硅栅条的两侧暴露出部分绝缘介质薄膜层；一源电极制作于源区上；一漏电极制作于漏区上；以及一栅电极制作于栅条上。本发明具有结构简化和实现了离子注入数目的精确控制。

著录项

公开/公告号CN104867834A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-08-26

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN201510192461.8
发明设计人王昊;韩伟华;杨富华;
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申请日2015-04-22
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/775(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-18 10:36:06

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-05-08

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20150826 申请日:20150422

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-09-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20150422

实质审查的生效
2015-08-26

公开

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1. 基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法 [P] . 中国专利： CN104867834A . 2015-08-26
2. 一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 [P] . 中国专利： CN102916048A . 2013-02-06
3. NOR or NAND type mask ROM - has two transistors of high and low threshold respectively, with two impurity atom regions and common impurity atom region, all of opposite conductivity to that of substrate [P] . 德国专利： DE4311705A1 . 1993-10-14

机译： NOR或NAND型掩模ROM-分别具有高阈值和低阈值的两个晶体管，具有两个杂质原子区和公共杂质原子区，它们的导电性都与衬底相反
4. Enhanced substrate contact for MOS transistor in an SOI substrate, in particular an FDSOI substrate [P] . 美国专利： US10096708B2 . 2018-10-09

机译： SOI衬底（尤其是FDSOI衬底）中用于MOS晶体管的增强衬底接触
5. Production of a SOI substrate comprises preparing a SOI substrate by embedding a trenched oxide layer between a crystalline silicon layer and a silicon substrate [P] . 德国专利： DE10233663A1 . 2004-02-19

机译： SOI衬底的生产包括通过在晶体硅层和硅衬底之间嵌入沟槽氧化物层来制备SOI衬底。