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热固型芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法

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提供在低温下因拉伸应力而适宜地断裂的热固型芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。一种热固型芯片接合薄膜，其在热固化前，0℃下的储能模量A为1GPa以上，0℃下的损耗模量B为500MPa以下，0℃下的损耗角正切C为0.1以下，玻璃化转变温度D超过0℃，并且前述玻璃化转变温度D的绝对值相对于前述损耗角正切C的绝对值的比E为600以上。

著录项

公开/公告号CN104946153A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-09-30

原文格式PDF
申请/专利权人日东电工株式会社;
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申请/专利号CN201510149705.4
发明设计人宍户雄一郎;三隅贞仁;大西谦司;
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申请日2015-03-31
分类号C09J7/02(20060101);C09J133/00(20060101);C09J163/00(20060101);C09J161/06(20060101);C09J11/04(20060101);H01L21/683(20060101);
代理机构11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇;李茂家
地址日本大阪府
入库时间 2023-12-18 11:09:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-03-15

实质审查的生效 IPC(主分类):C09J7/02 申请日:20150331

实质审查的生效
2015-09-30

公开

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