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多层钝化或蚀刻终止TFT

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摘要

本发明大体上涉及TFT以及用于制造TFT的方法。对于背沟道蚀刻TFT或蚀刻终止TFT而言，多层的钝化层或蚀刻终止层允许在并不太致密的背沟道保护层上形成很致密的盖层。所述盖层可以是充分致密的，使得存在很少气孔，并且因此氢可能不穿过通向半导体层。因此，可将含氢的前驱物用于所述盖层沉积。

著录项

  • 公开/公告号CN105051907A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201480016376.X

  • 发明设计人 任东吉;元泰景;S-M·赵;J·M·怀特;

    申请日2014-03-04

  • 分类号H01L29/786;H01L21/336;

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人黄嵩泉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-18 11:52:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-24

    专利权的视为放弃 IPC(主分类):H01L29/786 放弃生效日:20190924 申请日:20140304

    专利权的视为放弃

  • 2016-04-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/786 申请日:20140304

    实质审查的生效

  • 2015-11-11

    公开

    公开

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