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沉积中卤素分子用作反应剂增强外延膜中掺杂剂结合的方法

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摘要

本发明的实施例一般涉及在半导体装置上形成硅外延层的方法。所述方法包括加热安置在处理腔室的处理体积内的基板，及通过将基板暴露于催化剂气体和一或多种沉积气体来执行沉积工艺以在基板上形成硅外延层，所述催化剂气体包含卤素分子，及所述一或多种沉积气体包括硅源和掺杂剂来源。在一个实施例中，催化剂气体包括氯气。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-14

发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20151111 申请日:20150420

发明专利申请公布后的撤回
2017-05-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20150420

实质审查的生效
2015-11-11

公开

公开

1. 沉积中卤素分子用作反应剂增强外延膜中掺杂剂结合的方法 [P] . 中国专利： CN105047526A . 2015-11-11
2. 在外延反应器中的硅衬底上外延沉积硅晶片的方法 [P] . 中国专利： CN107022789A . 2017-08-08
3. METHOD OF ENHANCING DOPANT INCORPORATION IN EPITAXIAL FILM USING HALOGEN MOLECULES AS REACTANT IN DEPOSITION [P] . 韩国专利： KR20150126776A . 2015-11-13

机译：以卤素分子作为沉积物增强表皮膜中掺杂剂掺入的方法
4. Conformal Halogen Doping in 3D Structures Using Conformal Dopant Film Deposition [P] . KR102343837B1 . 2021-12-24

机译：使用保形掺杂剂膜沉积在3D结构中的共形卤素掺杂
5. Method of dopant enhancement in an epitaxial silicon layer by using germanium [P] . 美国专利： US5316958A . 1994-05-31

机译：用锗增强外延硅层中掺杂剂的方法