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HKMG技术中嵌入式闪存的双硅化物形成方法

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本发明涉及具有低多晶硅电阻和高编程/擦除速度、利用替代栅极技术将非易失性存储器(NVM)嵌入HKMG集成电路中的结构和方法。在HKMG电路的替代栅极工艺之后，在NVM器件的顶面上方形成的硅化物层防止了接触件形成期间的多晶硅损坏，并且提供了低栅极电阻，从而提高了NVM器件的编程/擦除速度。本发明涉及HKMG技术中嵌入式闪存的双硅化物形成方法。

著录项

公开/公告号CN105097819A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-11-25

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
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申请/专利号CN201510245441.2
发明设计人庄学理;吴伟成;高雅真;朱芳兰;
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申请日2015-05-14
分类号H01L27/115(20060101);H01L21/8247(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址中国台湾新竹
入库时间 2023-12-18 12:26:02

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-12-14

授权

授权
2015-12-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/115 申请日:20150514

实质审查的生效
2015-11-25

公开

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