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一种高响应度雪崩光电二极管制备方法

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本发明公开了一种垂直型雪崩光电二极管及其制备方法。所述雪崩光电二极管的制备方法包括：刻蚀垂直台面至In0.53Ga0.47As牺牲层；钝化台面侧壁及上表面；腐蚀去除In0.53Ga0.47As牺牲层实现衬底剥离；在N型InP欧姆接触层表面制备光学增透膜；上下表面制备P、N接触金属层，最后在P型接触金属层上再形成平坦的高反射镜面金属层。通过光学增透膜及平坦高反射金属层的有效结合，有效提高了雪崩光电二极管的响应度。本发明制备的高响应度的垂直型InP/In0.53Ga0.47As雪崩光电二极管具有成本低、制备工艺简单等优点。

著录项

公开/公告号CN105118886A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-12-02

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN201510547504.X
发明设计人陈良惠;李慧梅;李晓敏;李健;于海龙;宋国峰;徐云;
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申请日2015-08-31
分类号H01L31/107(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人宋焰琴
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-18 12:40:40

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-02-27

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/107 申请公布日:20151202 申请日:20150831

发明专利申请公布后的驳回
2015-12-30

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/107 申请日:20150831

实质审查的生效
2015-12-02

公开

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