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并有电插入于含磷族元素化物的吸收体层与发射极层之间的薄硫族元素化物膜的光伏打装置

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本发明提供用于改善绝缘体层与至少一个含磷族元素化物的膜界面连接的MIS及SIS装置中的所述绝缘层的质量的策略。本发明的原理至少部分基于以下发现：包括例如i-ZnS的硫族元素化物的非常薄(20nm或以下)的绝缘膜出人意料地为在并有磷族元素化物半导体的MIS及SIS器件中的优越隧道势垒。在一方面，本发明涉及一种光伏打装置，所述光伏打装置包括：半导体区域，其包括至少一个磷族元素化物半导体；绝缘区域，其电耦合到所述半导体区域，其中绝缘区域包括至少一种硫族元素化物且具有在从0.5nm到20nm的范围中的厚度；及整流区域，其按所述绝缘区域电插入于集极区域与所述半导体区域之间的方式电耦合到所述半导体区域。

著录项

公开/公告号CN105229797A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-01-06

原文格式PDF
申请/专利权人陶氏环球技术有限责任公司;加州理工学院;
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申请/专利号CN201380052315.4
发明设计人 J·P·博斯科;H·A·阿特沃特;G·M·金伯尔;R·K·费斯特;M·W·格鲁特;J·C·史蒂文斯;
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申请日2013-10-07
分类号H01L31/032;H01L31/062;H01L31/07;H01L31/072;H01L31/108;H01L31/109;
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人吴亦华
地址美国密歇根州
入库时间 2023-12-18 13:33:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-06-06

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/032 申请公布日:20160106 申请日:20131007

发明专利申请公布后的视为撤回
2016-02-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/032 申请日:20131007

实质审查的生效
2016-01-06

公开

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