法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-27
授权
授权
2016-02-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01Q17/00 申请日:20151118
实质审查的生效
2016-01-27
公开
公开
技术领域
本发明属于太赫兹波吸收器领域,具体涉及一种超宽频太赫兹波 减反构件及超宽频太赫兹波吸收器。
背景技术
近年来,随着太赫兹技术的高速发展,对太赫兹功能器件的工作 频率提出了越来越高的要求,超宽频太赫兹器件在诸多的应用领域起 到重要作用。
2008年,波士顿大学的N.I.Landy教授首先提出了基于电磁超材 料的完美吸收器。这是一种基于超材料的电磁谐振吸收器,通过合理 设计器件的物理尺寸及材料参数,能够与入射电磁波的电磁分量产生 耦合,从而对入射到吸收器的特定频带内的电磁波实现高效吸收。该 吸收器共有3层结构,顶层是一个金属亚波长谐振环结构,中间夹一 层介质层,底部为一金属条,底部的金属条将阻隔电磁波的传播,从 而降低器件的透过率,顶部的金属亚波长谐振环结构能在某一特定频 率实现透过系数,反射系数的振幅和相位,从而与底部金属层的反射 波产生相消干涉,实现反射率的降低。但是这种吸收材料在制备过程 中需要多步光刻以及对准,研制相对复杂,对于特定频率的电磁波, 其最大吸收率达到了70%。
随后,Tao等提出了一种改进型的基于超材料的电磁波吸收器, 与第一种吸收器的区别是其底层的金属条变成了连续金属薄膜。这种 器件因为引入了连续金属薄膜作为底层,电磁波不能够穿过整个材 料,使得这种吸收器对0°~50°角入射的电磁波均具有90%以上的 强吸收。在此之后,以连续金属薄膜为底层的三层式结构成为超材料 吸收器最常用的结构。
一般的太赫兹宽频吸收器都是通过电磁超材料结构的周期排列 而实现,通过合理的设计太赫兹功能器件的物理尺寸以及材料的参 数,能够与入射的电磁波的电磁分量产生耦合,进而对于入射到吸收 器的特定频带内的电磁波实现100%的吸收。一般来说,电磁超材料 在太赫兹频段的特征尺寸较小,因而无法使用精密机械加工,或是薄 膜蒸镀加工,所以这使得在太赫兹频段下的多层超材料结构的堆叠几 乎难以实现。虽然,电磁超材料的太赫兹吸器器件已经取得了较大的 进展,但吸收率低、频带窄、造价高等一系列问题,很大的限制了其 在实际应用范围。
发明内容
本发明是为解决上述问题而进行的,采用了如下技术方案:
本发明提供了一种超宽频太赫兹波减反构件,具有这样的特征: 该超宽频太赫兹波减反构件的折射率的范围为1.2~3.5,由多层折射 率顺序变化的复合材料层组成。复合材料层自靠近衬底的一层开始, 折射率逐渐减小。
本发明提供的超宽频太赫兹波减反构件,还可以具有这样的特 征:包含一层折射率为1.2~1.5的低折射率复合材料层,以及至少一 层折射率为1.5~3.5的高折射率复合材料层,优选5层,每层高折射 率复合材料层的厚度优选为100~250μm。
本发明提供的超宽频太赫兹波减反构件,还可以具有这样的特 征:低折射率复合材料层由中空的纳米或微米小球与高分子聚合物复 合而成;高折射率复合材料层由氧化钛粉、氧化锆粉、硅粉中的任意 一种与高分子聚合物复合而成,所述五层高折射率复合材料层中的氧 化钛粉、氧化锆粉或硅粉的质量分数不同。其中,中空的纳米或微米 小球为中空聚苯乙烯球或中空石英球;高分子聚合物为聚乙烯(PE)、 聚苯乙烯(PS)、聚环烯烃(COP)、聚氨酯(PU)、聚酰亚胺(PI)、 环氧树脂中的任意一种。
进一步的,本发明还提供了一种超宽频太赫兹波吸收器,由低阻 硅片,以及固定于该低阻硅片上超宽频太赫兹波减反构件构成。其中, 超宽频太赫兹波减反构件为上所述的超宽频太赫兹波减反构件。低阻 硅片的厚度不小于300μm,超宽频太赫兹波减反构件的厚度为1mm。
发明作用与效果
本发明提供了一种新的超宽频太赫兹波吸收器的设计理论和方 案,是依据折射率渐变增透原理,将多层折射率顺序变化的复合材料 层依次重叠组成减反构件,然后将其旋涂于低阻硅上。这一器件可以 工作在太赫兹全频段(0.1~30THz),大大的拓宽了之前的利用电磁超 材料结构的周期排列的太赫兹吸收器的工作频宽;同时,由于减反构 件可以在折射率为1.2~3.5的范围内任意调节,能够极大降低太赫兹 波辐射的反射,并且此吸收器结构简单,制作方便,吸收率高,制作 成本低。
附图说明
图1是本发明的超宽频太赫兹波吸收器的结构示意图;
图2是本发明的纳米氧化钛复合材料层的折射率与利用有效介质理 论匹配下的结果图;
图3是本发明的实际制备的超宽频太赫兹波吸收器的减反构件的剖 面结构的SEM图;
图4是本发明的实际制备的超宽频太赫兹波吸收器的仿真结果图;
图5是本发明的超宽频太赫兹波吸收器在0.1-1.5THz频段下的吸收 率的结果图;
图6是本发明的超宽频太赫兹波吸收器在1-10THz频段下的吸收率的 结果图。
具体实施方式
以下结合附图来说明本发明的具体实施方式。
图1为本实施例的超宽频太赫兹波吸收器的结构示意图。
如图1所示,超宽频太赫兹波吸收器的衬底为低阻硅片,中间为 五层折射率不同的高折射率复合材料层,最上层为低折射率复合材料 层,每层的厚度为100~250μm。本实施例中,中间的高折射率复合材 料层为纳米氧化钛复合材料层,低折射率复合材料层为中空PS微球 复合材料层。
以下对纳米氧化钛复合材料层和中空PS微球复合材料层的制备 方法,以及太赫兹超宽频段吸收器的吸收率的计算方法进详细说明:
一、纳米氧化钛复合材料层的制备方法
首先,取一定量的20nm的金红石型纳米氧化钛于乙醇中,并加 入少量的表面修饰剂(byk-111)球磨6-8h;然后加入不同量的环氧树 脂(TTA-21P江苏泰特尔新材料科技有限公司)和固化剂(间苯二甲 胺),TTA-21P与间苯二甲胺的比例为2:1,搅拌2h后,100℃下固化。 调节纳米氧化钛在整个体系中的含量比,可以制得不同折射率的复合 材料。
利用太赫兹时域光谱系统(THz-TDS)对制备的纳米氧化钛复合 材料进行折射率的分析与表征,结果如图2所示,当纳米TiO2的质 量百分比分别为27%、33%、44%、57%、67%时,其实际折射率分 别对应为1.96、2.09、2.41、2.84、3.19,和有效介质理论相匹配。通 过调节TiO2的含量,可以使得纳米氧化钛复合材料的折射率在 1.5~3.5范围内任意调节。
二、中空PS微球复合材料层的制备方法
取中空PS微球0.03g置于少量乙醇中润湿,之后加入0.4g环氧 树脂(TTA-21P江苏泰特尔新材料科技有限公司)和0.4g固化剂(间 苯二甲胺),搅拌2h后,60℃下固化。利用THz-TDS对所制备的复 合材料进行折射率的分析与表征,得到其折射率为1.3。
三、超宽频太赫兹波吸收器对太赫兹波吸收率的计算方法
根据实验材料,本实施例以高阻硅片的折射率为起点,制备六层 复合材料,根据折射率渐变多层增透膜公式,计算不同复合材料层的 折射率。
其中,n0为空气的折射率,n1-6为各复合材料的理想折射率,为 nSi硅的折射率。
在利用CST(ComputerSimulationTechnology)对以上结构进行仿真计 算得出器件的反射率和透过率后,用1减去透过率和反射率即可得出 太赫兹超频段吸收器的吸收率。
图3是本实施例实际制备的超宽频太赫兹波吸收器的减反构件 的剖面结构的SEM图。
在利用匀胶机将复合材料层旋涂于低阻硅片上时,由于实验误 差,所得的厚度与仿真结果不完全一致。如图3所示,实际制备的超 宽频太赫兹波吸收器的减反构件的厚度为900μm,而其理论值为 1000μm。
图4是本实施例的实际制备的超宽频太赫兹波吸收器的仿真结果 图。
如图4所示,利用CST仿真对实际所得的超宽频太赫兹吸收器的 参数进行仿真,结果显示,实际制备的超宽频太赫兹吸收器对 0~10THz的太赫兹波的吸收率接近100%。
图5为利用太赫兹时域光谱系统对实际制备的超宽频太赫兹波吸 收器进行分析与表征的结果图。
如图5所示,实际制备的超宽频太赫兹波吸收器在0.1-1.5THz频 段下的吸收率不低于95%。
图6为利用FT-IR系统对实际制备的超宽频太赫兹波吸收器进行 分析与表征的结果图。
如图6所示,实际制备的超宽频太赫兹波吸收器在1-10THz频段 下的吸收率均高于95%。
本实施例中,作为吸收器衬底的低阻硅片的厚度应不小于 300μm,优选500μm。减反构件的厚度为1000μm。
实施例的作用与效果
本实施例提供了一种超宽频太赫兹波减反构件以及基于该减反 构件的超宽频太赫兹波吸收器,减反构件由五层折射率不同的纳米氧 化钛复合材料层以及一层中空PS微球复合材料层组成,并旋涂于低 阻硅上。
由于减反构件是依据折射率渐变增透原理,将多层折射率顺序变 化的复合材料层依次重叠而成,使得减反构件可以在折射率为 1.2~3.5的范围内任意调节,能够极大降低太赫兹波辐射的反射;同 时使得超宽频太赫兹波吸收器可以工作在太赫兹全频段 (0.1~30THz),大大拓宽了之前的利用电磁超材料结构的周期排列的 太赫兹吸收器的工作频宽;并且此吸收器结构简单,制作方便,吸收 率高,制作成本低。
上述实施例中,减反构件的高折射率复合材料层为纳米氧化钛复 合材料层,低折射率复合材料层为中空PS微球复合材料层。但作为 本发明的超宽频太赫兹波减反构件以及基于该减反构件的超宽频太 赫兹波吸收器,减反构件不限于上述复合材料。如,高折射率复合材 料层还可以为纳米氧化锆复合材料层或纳米硅粉复合材料层;低折射 率复合材料层还可以为中空石英球复合材料层。
同时,作为复合材料层制备原料的高分子聚合物也不仅限于环氧 树脂一种,还可以为聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚环烯烃(COP)、 聚氨酯(PU)、聚酰亚胺(PI)中的任意一种。
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