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公开/公告号CN105427882A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-23
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201510792144.X
发明设计人 马尼什·加尔吉;柴家明;迈克尔·泰坦·潘;
申请日2010-01-21
分类号G11C8/08;G11C11/419;
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人宋献涛
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-18 15:03:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-04-20
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C8/08 申请日:20100121
实质审查的生效
2016-03-23
公开
机译: 使用双技术晶体管的低泄漏高性能静态随机存取存储器
机译:采用28 nm高k /金属栅平面体CMOS技术的高度对称10晶体管2读/写双端口静态随机存取存储器位单元设计
机译:使用针对每个晶体管区域优化的多失真技术45nm高性能?低泄漏钟平台技术
机译:45 nm高性能,低泄漏耦合平台技术,使用多种应变技术针对每个晶体管区域进行优化
机译:65 nm CMOS技术,具有高性能和低泄漏晶体管,0.55 / spl mu / m / sup 2 / 6T-SRAM单元以及用于移动多媒体应用的强大混合ULK / Cu互连
机译:关于使用堆叠晶体管的3.3v / 5v低泄漏高温数字单元库的建议。
机译:使用弯曲技术在频率扫描和传感器应用中实现低剖面泄漏波天线
机译:具有双Vt晶体管的低泄漏SRAM设计
机译:利用正性光刻胶掩模技术制造低泄漏N沟道sOs晶体管的方法