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热模压结合化学气相渗透CVI制备Diamond/SiC复合材料的方法

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本发明涉及一种热模压结合化学气相渗透CVI制备Diamond/SiC复合材料的方法，金刚石粉料的颗粒级配采用三级级配的方法，即采用三种粒径的金刚石粉料，分别为大粒径的金刚石粉料、中粒径的金刚石粉料和小粒径的金刚石粉料。这样在金刚石预制体的成型过程中，中粒径的金刚石颗粒会填充大粒径的金刚石颗粒空隙之间，小粒径金刚石颗粒再进一步填充在大粒径金刚石和中粒径金刚石颗粒之间的空隙。本方法可有效解决大粒径金刚石预制体成型困难的问题，而且可以有效提高复合材料的致密度以及金刚石的体积含量，从而有效提高复合材料的热导率以及力学性能。不仅如此，该方法的生产工艺简单、操作方便，适用于工业化生产。

著录项

公开/公告号CN105777172A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-07-20

原文格式PDF
申请/专利权人西北工业大学;
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申请/专利号CN201610190733.5
发明设计人刘永胜;赵志峰;游蔷薇;赵明晞;张青;成来飞;
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申请日2016-03-30
分类号
代理机构西北工业大学专利中心;
代理人王鲜凯
地址 710072 陕西省西安市友谊西路127号
入库时间 2023-06-19 00:06:42

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-09-11

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B35/83 申请公布日:20160720 申请日:20160330

发明专利申请公布后的视为撤回
2016-08-17

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/83 申请日:20160330

实质审查的生效
2016-07-20

公开

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