公开/公告号CN105936985A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 东华大学;
申请/专利号CN201610505076.9
申请日2016-06-30
分类号C22C12/00(20060101);C22C1/02(20060101);C22C1/04(20060101);B22F9/04(20060101);B22F3/14(20060101);B82Y40/00(20110101);B82Y30/00(20110101);
代理机构31001 上海申汇专利代理有限公司;
代理人翁若莹;柏子雵
地址 201620 上海市松江区人民北路2999号
入库时间 2023-06-19 00:28:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-28
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C22C12/00 申请公布日:20160914 申请日:20160630
发明专利申请公布后的驳回
2016-10-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C22C12/00 申请日:20160630
实质审查的生效
2016-09-14
公开
公开
机译: 具有部分填充的方钴矿晶格结构的半导体材料,针对所选的热电特性和制备方法进行了优化
机译: 具有针对所选热电特性进行优化的方钴矿型晶格结构的半导体材料及其制备方法
机译: 生产COSB3型纳米结构方钴矿的方法