• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> 用于磁隧道结器件的制造技术和相应的器件

用于磁隧道结器件的制造技术和相应的器件

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

一些实施例涉及一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。该单元包括底电极，该底电极具有被周围的底电极部分包围的中心的底电极部分。导电底电极的阶梯区域将中心和周围的底电极部分相互连接，以使中心部分的上表面相对于周围部分的上表面凹陷。磁隧道结(MTJ)具有设置在中心的底电极部分上方和布置在阶梯区域之间的MTJ外侧壁。顶电极设置在MTJ的上表面上方。还公开了其他器件和方法。本发明的其它实施例涉及一种用于制造磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的方法以及一种集成电路。

著录项

  • 公开/公告号CN106356448A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201610530486.9

  • 发明设计人 庄学理;王宏火芍;江典蔚;游文俊;

    申请日2016-07-07

  • 分类号H01L43/02(20060101);H01L43/12(20060101);

  • 代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲;李伟

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2023-06-19 01:25:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/02 申请日:20160707

    实质审查的生效

  • 2017-01-25

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号