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在IV衬底上在低温下沉积晶层、尤其是光致发光IV‑IV层的方法，以及包含这种层的光电元器件

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摘要

本发明涉及一种用于在IV‑衬底、尤其是硅衬底或锗衬底上单片式沉积IV‑IV层、尤其是GeSn或SiGeSn层的方法，所述层是单晶的、受激发光、由IV‑主族的多种元素组成并且具有小于10

1. 在IV衬底上在低温下沉积晶层、尤其是光致发光IV‑IV层的方法，以及包含这种层的光电元器件 [P] . 中国专利： CN106414816A . 2017-02-15
2. 在MOS晶体管的IV族衬底上沉积的III-V沟道的高阻层 [P] . 中国专利： CN105409005A . 2016-03-16
3. METHOD FOR DEPOSITING A CRYSTAL LAYER AT LOW TEMPERATURES, IN PARTICULAR A PHOTOLUMINESCENT IV-IV LAYER ON AN IV SUBSTRATE, AND AN OPTOELECTRONIC COMPONENT HAVING SUCH A LAYER [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3155145A1 . 2017-04-19

机译：在低温下沉积结晶层的方法，尤其是在IV衬底上的光致发光IV-IV层，以及具有这种层的光电子组件
4. METHOD FOR DEPOSITING A CRYSTAL LAYER AT LOW TEMPERATURES, IN PARTICULAR A PHOTOLUMINESCENT IV-IV LAYER ON AN IV SUBSTRATE, AND AN OPTOELECTRONIC COMPONENT HAVING SUCH A LAYER [P] . 世界知识产权组织专利： WO2015189004A1 . 2015-12-17

机译：在低温下沉积结晶层的方法，尤其是在IV衬底上的光致发光IV-IV层，以及具有这种层的光电子组件
5. Method for depositing a crystal layer at low temperatures, in particular a photoluminescent IV-IV layer on an IV substrate, and an optoelectronic component having such a layer [P] . 德国专利： DE102014108352A1 . 2015-12-17

机译：在低温下沉积晶体层的方法，特别是在IV基板上沉积光致发光IV-IV层的方法，以及具有这种层的光电组件