首页> 中国专利> 一种NiSe2过渡金属硫属化物纳米片、其制备方法及用途

一种NiSe2过渡金属硫属化物纳米片、其制备方法及用途

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明提供了一种NiSe2过渡金属硫属化物纳米片，所述纳米片的长度为1～2μm，厚度为30～80nm。本发明提供的过渡金属硫属化物为纳米片，具有更大的比表面积，作为水分解电催化剂，具有更高的催化效率。本发明还提供了上述NiSe2过渡金属硫属化物纳米片的制备方法，以镍源化合物和氨水为原料，在衬底保温生长Ni(OH)2纳米片，然后Se置换，得到NiSe2过渡金属硫属化物纳米片。上述方法过程简单，且成功制备得到了片状形貌的NiSe2过渡金属硫属化物。

著录项

公开/公告号CN106430122A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-02-22

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学技术大学;
展开▼

申请/专利号CN201610888406.7
发明设计人向斌;刘萍;
展开▼

申请日2016-10-11
分类号C01B19/04(20060101);B82Y40/00(20110101);B01J27/057(20060101);C25B11/06(20060101);C25B1/04(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人赵青朵
地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
入库时间 2023-06-19 01:36:59

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-08-23

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B19/04 申请公布日:20170222 申请日:20161011

发明专利申请公布后的驳回
2017-03-22

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B19/04 申请日:20161011

实质审查的生效
2017-02-22

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种NiSe₂过渡金属硫属化物纳米片、其制备方法及用途 [P] . 中国专利： CN106430122A . 2017-02-22
2. 一种过渡金属二硫属化合物纳米片层复合物及其制备方法 [P] . 中国专利： CN105618087B . 2018.10.16
3. Transition metal chalcogenide Preparation Method Transition metal chalcogenide and Device comprising Transition metal chalcogenide [P] . 韩国专利： KR20180059206A . 2018-06-04

机译：过渡金属硫属化物的制备方法过渡金属硫属化物和包含该过渡金属硫属化物的装置
4. Composition for layered transition metal chalcogenide compound layer and method of forming layered transition metal chalcogenide compound layer [P] . 美国专利： US10079144B2 . 2018-09-18

机译：用于层状过渡金属硫属化物化合物层的组合物和形成层状过渡金属硫属化物化合物层的方法
5. METHOD FOR MANUFACTURING TRANSITION METAL CHALCOGENIDE AND TRANSITION METAL CHALCOGENIDE PREPARED THEREBY [P] . US2022010456A1 . 2022-01-13

机译：制造过渡金属硫属化物和过渡金属硫属化物的方法